15.第15节课第三章存储器层次结构

罗泽兵 · 发表于 2024-4-15 08:59:41

那我们呃讲完了动态RAM和静态RAM，我们来对它们进行一个比较啊，我们来看一下动态RAM的一个存储原理，它是一个电容进行存储，而静态RAM它是由。花器来进行重组的。集成度的而言的话，动态按摩的话要高一些，静态按摩要低一些，呃，芯片引导的话，动态按摩要少比静态按摩要多一些啊。功耗的话是动态热比较小，静态热比较大，价格的话是动态热比较低，

静态热比较高。速度的话，动态热门要慢，静态热门要快。刷新你动态热门有动态热门没有？啊，放大热膜一般放一般是用于储存静态热膜，一般是用于缓存这里同学们要知道哈，知道有时候可能会考选择题，所以同学们要记住这些内容。这是我们的动态和静态RAM，我们看完这些之后，我们接着往下讲，讲到我们的第三块内容就是只读存储器啊，只读存储器就是我们所说的ROM。

科目中信息即使掉嗯，即使掉电，它也不会丢失啊，只供读出信息的存储器它。它是什么意思？就是只供读出信息的一个存储器，即使断电数据也会丢失，那我们的RAM RAM它是断电数据会丢失的啊。然后them from的特点是结构简单，第义组第一位逆。它的特点是结构简单位。ROM的特点是结构简单，位密度高啊，非易失性，可靠性强，

可靠性要高。根据我们的发展过程以及制作工艺来进行划分，还有眼膜啊，也就是m romm ROM，它是早期的组织通信器啊，在厂家。啊，写好内容面膜就是在我们出出道的时候，曾经就会给他写好内容嗯。嗯，然后再就是一次可编程只读存储器，就是我们prom而用户可进行一次操作，而用户只可进行一次操作，还有就是我们可插图编程只读存储器。一批论文就可以进行多次写啊，

编程次数有限，写入时间长啊，还有就是我们紫外线插图。uv eprom嗯，然后电查组eeprom啊，是我们的嗯，根据发展过程及制作工艺进行。划分了一些呃类型，一些类型，而除此之外，从ROM的发展而来，目前应用非常广泛啊U盘，它是一种闪闪存啊U盘，是我们的一种闪存，就是我们讲到的一个flash。

来算机电查所价格便宜，执行率高，查处速度比较快啊，因为。EP网价格便宜，执行率高啊，然后这个EP网便可，它以重写变成次数有限，其实时间长，反存反存，对于我们的。啊eeprom来说啊，具备ROM的一些功能啊，还有代表就是我们讲到的一些固态硬固态硬盘。把它的基于闪存使用电子存储芯片阵列制成的一个硬盘，

包括控制单元，存储单元，还有我们的flash芯片。长期它能够长期保存信息，快速擦除及重写啊，这比传统的硬盘读写速度要快，功耗低，价位高啊，这是我们的固态硬盘。那么接着往下看哈，比如刚刚我们提到了眼膜，这是它的一个电路图啊，就是它的行地级密码器，还有列级密码器。也是呃，

行列选择线交叉处啊，有末管为一啊选择选择。行列选择线的交叉处有木错，它为一行列选择呃线的交叉处，如果没有木错的话，它就设为零为零啊，所谓的眼膜眼膜，还有就是我们讲到的一次性编程，大家可以了解一下啊。啊，它有一个溶嗯溶丝溶丝，如果是没断的话啊，就为一溶溶丝断，那就是为零嗯，这是我们的。

一次性编程，一次性编程，它可以进行一次性编程疲劳。多次性编程e pro多次性编程n型沟通符嗯，有n型通道浮动三电路啊，它的一个电路，大家了解一下哈。嗯g先来s是圆d是乐是吗？紫外线查出不能按字节进行查出，紫外线查出不能按色节查出，当浮动空间有电子管积累时，墨托尔开启电压很高。g使我们的g啊为高电平该管仍不能。导通相当于存储的，零相当于存储的，

零啊就是我们的一个n型构造浮动塞电路。当浮动空翻，当浮空翻没有电子机，那时梦管的开启电路，电压较低。当即为高电，平时该管导通相当于存储了一啊，什么时候存储零什么时候存储一啊，就是我们的。一个A型构造浮动三末电路。还有就是我们的二七幺六第一批用的逻辑图和引脚就是它的一个逻辑图和引脚，我们可以看到。还有控制逻辑单元数据缓冲区啊e码啊se码ye码y控制，还有幺120，还有它的一个存储取存储矩阵。

当它的功率下降时啊，变成数据端读出时，为低电平啊，功率下降时就是属于低电平。还有电，可它变成只读存储器，一直是我们的一一披露啊，是我们的一个电路图啊。如果vg为正电压第一，浮空三极与漏极之间产生隧道效应时，我们的电子注入第一。浮空三级即编程写入啊，第一，浮空三级就编程，我们写入，

如果它vg为负电压的时候啊强。使第一浮空三级的电阻散失啊，即擦除就是怎样进行擦除，怎样进行写入啊，就是我们的电可插边层组织成理器。它与插图电流很小，可用普通电源供电，而且它可插图呃，插图可以按照字节进行进行。它的主要特点是能在应用系统中啊，在线改写断电后信息进行保存，断电后信息进行保存。还有我们的flash flash啊啊flash memory快插性存储器啊，写入前啊，应进行插图，

我们在写入的时候写入前就应该把咱们这个。呃，进行擦除flash memory，不能按字节擦除，而是片选或分块进行擦除。它有一个非律师，可长期反复使用的特点。17可以代替磁盘嗯，代替了咱们的磁盘。好，这是我们以上讲到的内容，接下来我们接着往下看，我们的第四小节主存储器与我们的CPU的连接。在本小节当中，我们组存储器与CPU的连接主要讲到了四块内容，

包括它的连接原理。存主存储容量的扩展，存储芯片的地址分配和片选，以及存储器与CPU的连接。这四块内容好，我们接着呃往下看看，我们第一块内容主存储器与CPU的连接啊，连接的原理啊，主存储器通过数据总线。地址，总线控制，总线与CPU进行连接啊，就说据通常是通过数据，总线，地址，

总线和控制，总线与CPU进行连接的，它是它的一个连接方式。啊，第二点数据总线的位数与工作频率的乘积正比于数据传输率啊，它总线的位数与我们的工作频率的乘积。与我们的数据传输率成的是一个正比关系。第三点，地址总线的位数决定了可寻址的最大内存空间。地址总线决定的是什么啊？数据总线与什么有关系？地址总线它的位数决定了是可寻址的最大内容空间。还有第四点是读写命令控制线的连接啊，片选线的连接以及第六点还有合理选择存储芯片。啊，

传输什么样的输入芯片ROM还是ROM ROM还是ROM还有这个第七点，它的时序与负载等等啊。存储器与CPU的连接，一些原理上的内容我们可以看到这个图啊，还有呃，我们组成组成。而CPU和主存之间进行一个读写，他们有数据总线，还有地理总线进行一个连接，往往数据总线是进行一个。啊，双双向的啊，这几种形式进行一个循迹操作嗯，这是我们有存储器与CPU CPU的连接原理。第二个块内容是存储器的容量的扩展啊，

我们存储器容量啊，存储容量是有限的啊，那我们怎样对它进行一个扩充？嗯d三个存储芯片，它是有限的，在字数字层方面都与实际的需求有很大的一个差距。好，我们的扩分组成容量的方法有这三种，第一种是未扩展法，第二种是自扩展法，第三种是自位，同时扩展法。我们来分别看一下什么是位扩展法。未扩展法可以增加我们的存储制程，用两片1t×4位的存储经验组成我们的。

dk×8位的存储器。啊，这是是。二的十次方有十根闭不线。有八位数据线啊，八位数据线时间地址线。我们看这个图当中，由a0到a9那么是十根一直线啊，十根一直线，这是那个二幺幺四的啊？四一片，这是一片，这是一片两片啊，一×4k的存储芯片来组成。我们的八个数据线。

这是我们的对未进行扩展啊，未进行扩展。用多个存储嗯，期间对字长进行扩充，我们。对正常进行的一个扩充，然后数据位与CPU数据线相等，然后数据位与CPU的数据线相等，地址片选读写。控制是一个并联的方式，数据端分别引出我们的数据端是分别进行引出的嗯。我们来看一下次括呢，是增加存储的，存储次的一个数量啊，用两片1k×8的。

八位的存储芯片组成2k×8位的存储器啊，有12k是不是有11根地址线和八根数据线？这里是十根，然后我们对它进行存储器的一个数量的扩充的话，变成11根的记录线。我们看到它的一个电路图是这个样子的。那我们的第11根电子线是进行单独对它进行一个呃位数，一个一个控制对它进行一个控制。啊，这里的它的位数不变，地址和数据读写控制是一个并联的关系片区分。各芯片地址的范围同一时刻只有不同芯片进行选中啊a10，啊a10这一个就是我们选中哪一个？芯片进行补血操作啊，来进行一个控制就是自破的。

这是自扩展的一个地址，空间的分配表，我们可以看到地址，它的片号片选。在包括包括它的最低地址和最高地址第一片的最高地址第第二片的。有，还有就是我们四位扩展啊，用八片嗯，1k×4位的存储芯片组成我们的4k×8位的存储器。它这里有12根数据线和八根数据线。四根数据线。这里是四根数据线十根，然后我们有八个一二三四五六七八。八个数据线，那我们八个。

用八片一×4k的存储芯片来组成。那a0a一零和a一一是一个片选一码啊，来决定我们选择哪两片哪一片？嗯，进行读写操作，同时增加的字。嗯，同时增加字的数量和存储的字长地址线是一个并联的关系，地址线是一个并联的关系，数据线与芯片进行一个相应的结合，进行一个相应的结合。我们这里既增加了它的字长，又增又扩充了它的位长。位数又扩充了他的位数。这是我们的地址，

空间分配表嗯。那我们接着往下看第三块内容就是存储芯片的地址分配，分配和片选什么是片选？啊CPU要实现对存储单元的访问，首先要选择存储芯片。由CPU送出的高位地址线，经线选法或以码线选法进行完成啊，线选法是我们高位地址。现接着，我们存储芯片片选端每次一个有效啊，它的优点是不需要进行密码，线路简单。但是它的缺点是粒子空间不连续粒子线。必须分分时为低电平地质源。地质资源是浪费的，

地质资源浪费。一码。片选法啊，通过地址译码器芯片产生片选信号，比如说我们的七四ls幺三八地址译码器。三条基础线可形成八个平均平衡，然后还有就是我们的自选是按地址码选择相应的存储单元以进行数据存取。芯片筛选内逻辑单元完成密码。由CPU送出的n条d位一直线完成。片面的自选由AA由片。单由片类存储容量2a来进行一个决定哈，这是我们的啊存储芯片的第五分配和片选。那存储器与CPU的一个连接啊，我们讲到存储器与CPU的一个连接，首先我们第一点要看合理选择存储芯片啊。

包括存储芯片的类型，我们选择什么样的类型的存储芯片，还有我们存存储芯片的一个数量啊，尽量选择连线简单方便的。第二点就是地址线的连接CPU的低位，地址线与存储芯片是相连的啊，还有再就是数据线的连接。存储器经换位后与CPU数据线连接一致啊，直接进行相连。读写嗯，命令线的连接啊，读写命令线，读写控制端相连，高电平读低电平进行一个写。读写命令线分开嗯，

读第二。读2b连。允许读控制端啊，读达芬意。严允许写控制单接电线有效，第五点是片选线的连接啊，芯片选中啊，芯片选中。高电平方表示的是IO访问啊。这是我们存储器与CPU的一个连接啊。以上是我们讲到的上面嗯，第四小节的一个内容，首先接下来我们接着往下看，我们的第五小节。双口run和多模块状态存储器。

提高CPU访嗯，访问存储器的速度是用采用的有并行技术呃，并行技术有什么呢？有我们的空间运行和我们的时间运行。双口RAM和多模块任务存储器包括两个部分的内容，就是第一部分内容是我们双端口RAM，还有我们第二部分就是我们多模块存储器。那我们就首先来看一下我们的双端口段。双向横断的指的是什么？同一存储器在左右两端啊嗯，两个独立端口同一存储器啊，在左右两个独立端口。有CPU，有CPU 1和CPU 2两个嗯CPU 1和CPU 2，然后有酸端和ROM进行一个相连接。

这里有数据线，地址线和控制线啊，你们想要进行数据和数据的传输，两组独立的地址线啊，数据线读写控制线，它们是分别相独立的。这边和这边的数据线和自由线还有一个控制线是独立的，有两个独立控制器。同时，异步访问存储单元啊，两个呃独立的控制器进行，同时异步访问存储单元。相同的地址同时写啊，是写会出现写错误，相同的地址同同时一写一读也会出现一个读错误。

我们的解决方法是什么呢？就是致盲信号啊，非以为临时通过判断逻辑决定暂时关闭一个啊。嗯，暂时关闭一个啊，端口被延时未关闭，正常访问关闭延时后访问啊，如果说我们暂时关闭了，这个时候我们。等它进行一个端口延时啊，如果没有被关闭，那我们可以正常访问，如果是关闭了，我们就进行延时和访问，这是我们的一个双端口的。

我们从这个图当中可以看到哈，在双端口任务当中有CPU 1 CPU 2啊，它们的有独立的数据线。啊，地址线和控制线还有两个独立的控制器啊，两个独立的控制器可以同步同时异步访问程序单元，但是在同时异步访问程序单元的时候会出现一些问题啊。比如说我们的解错误，我们的读错误啊，它的解决方法就是我们致盲给它一个致盲信号，就是baby这个信号。这是我们的双端口RAM，那么接着往下看哈，我们双端口RAM它是指的同一存储器，具有两组相互独立的读写控制线路，

是一种高速工作的存储器。啊，同一存储器具有两组相互独立注射控制线路，是一个高速的工作存储器。首先，它没有冲突时，无冲突读写时。当两个端口的地址互相同时，在两个端口上进行读写操作，一定不会发生冲突，就是我们这两个端口，它的地址是。不同的，那就他就会进行一个并行的操作，也不会发生冲突，

当任意端口被选中驱动时，就可对整个同体进行一个。选取操作，每个端口都有自己的片选控制和输出驱动控制，那就是没有冲突的时候进行读写。当有冲突的时候进行读写控制的时候哈，我们有一个特殊情况啊，当两个端口同时存。取存储器同一存储存储单元时，便发生了读写冲突。为解决此问题，我们设置了一个贝瑞的标志，就是我们刚刚提到了一个贝瑞的标志。由片上的判断逻辑决定对哪个端口进行优先的读写操作，而暂时关闭另一个被延时的端口。

啊，它被嗯读写嗯嗯，把它致盲，就是让它暂时关闭进行延时。判断方法是，根据片选信号的ce或者是地址信号进行一个判断啊，这是我们的呃，这是我们的这个这一块内容。接着往下看，就是我们的多模块存储器，什么是我们的多模块存存储器呢？同时，从存储器取a条指令，则充分利用CPU资源，提高运行速度，

多模块儿存储器啊。双模块存储器又分为单体多次存储器和多体并行存储器啊，单体多次。存储器是什么呢啊？一个存储体，每个存储单元存储m字啊，总线宽度为m字。一次并行读出m个字，地址顺序排列在同一存储单元啊，这个呢，排列在存储单元同一存储单元。这里mw v是数据寄存器啊，这里是存储器和地址存储器，数据存储器wv。它的优点是增大了存储器的带宽，

提高了单体存储器的工作速度。但是，它也有它的缺点，缺点就是指令数据连续存放。所以遇到转移指令操作数不连续，则它的效果就不明显了啊，效果就不明显了，这是我们。嗯的单体多次存储器。那我们多模块存储器当中还有多体并行存储器啊，它采用的是多模块组成，比如说比如说我们看我们这个图当中有m0m1m2m3。好，这是多个模块进行组成，每个模块有相同的存储容量和存储速速度，

各个模块有独立的读写控制电路，还有它的一个寄存器。啊，还有我们的数据寄存器啊，地理寄存器数据寄存器。并且可并行工作也可交叉工作和单体多字存储器多体。变形存储器有两种方式嗯，它是有第一种方式是高位交叉电子，第二种是低位交叉电子，首先我们来看一下高位交叉电子。高位地址表示的是体号，低位地址表示的是体内地址，进行一个合理的调动，不同请求员。同时，

访问不同体，这是我们的一个高位交叉地址，然后我们的低位交叉编制啊，又称为是交叉方式。低位地址表示的是体号，高位地址表示的是体内地址啊，连续存放在相邻体中也称为交叉存储体啊，用交叉存储体。所以要求他访问各个题，在一个存储周期重叠，进行了多个存储器的一个读写，多个存储器的读写，这是我们来看一下。这两张的对比图，两张对比图就是我们的多模化处理器嗯。

比如说我们看一个例子啊，比如说设四体机位交换存储器，存储周期为t总线，传输周期为。avc的吗？为实现流水线方式进行存储，需要满足t=4 c的吗？这是我们的一个时间轴嗯，这是一个t这是。我们的字，还有我们的体号。连续读取四个字所需的时间，就是我们的这个内容。好，以上是我们讲到的第五小节的内容。

		自动登录	找回密码
密码			立即注册